GaN基量子阱激光器極化相關(guān)增益飽和特性的理論計算
【摘要】:
通過計算GaN能帶結(jié)構(gòu)和躍遷矩陣元 ,對GaN基量子阱激光器的極化相關(guān)增益和增益飽和特性作了理論上的計算與分析。具體計算并給出了TE和TM模的增益譜和自飽和系數(shù)的曲線 ,分析了能帶結(jié)構(gòu)和載流子面密度對增益和增益飽和特性的影響
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