利用三步法MOCVD生長器件質(zhì)量的GaN
【摘要】:
在傳統(tǒng)的二步MOCVD外延生長的基礎(chǔ)上 ,報道了一種在低壓MOCVD中用三步外延生長GaN材料的新方法 ,它在生長低溫緩沖層前 ,用原子層的方法生長一層高質(zhì)量的AlN層來減少Al2 O3與GaN緩沖層之間的應(yīng)力以提高緩沖層的質(zhì)量 ,從而提高外延層Ga...
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