【摘要】： 采用剝離技術(shù),實(shí)現(xiàn)了GaN 基紫外探測器件與硅讀出電路的倒焊對(duì)接,對(duì)提高GaN基紫外圖像傳感器的電學(xué)特性起到了重要的作用。介紹了剝離技術(shù)的原理,實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析及應(yīng)用。