【摘要】： 針對大陣列CCD工藝制作過程中光刻大面積圖形曝光的需求,提出了一種適用于光刻拼接的圖形補(bǔ)償方法。圖形拼接處進(jìn)行相反的補(bǔ)償設(shè)計(jì)0.3μm"凹陷",曝光時(shí)拼接交疊0.3μm。光刻后,圖形拼接處平滑、自然過渡,圖形整體上拼接自然,較好地解決了光刻大面積圖形...