【摘要】： 針對用于制備非晶硅薄膜的PECVD設(shè)備反應(yīng)室的流體場進(jìn)行了模擬仿真,并實驗制備了相對應(yīng)條件下的非晶硅薄膜,利用臺階儀完成了對薄膜厚度的測量,對比仿真結(jié)果,發(fā)現(xiàn)薄膜的厚度分布情況與基片表面附近的氣流分布情況密切相關(guān),獲得均勻性優(yōu)于2.5%非晶硅薄膜。