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波長1.3μm的低閾值InGaAsP脊型波導激光器的性能 |
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I. P. Kaminow,程阜民 |
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8800AGaAlAs/GaAs氧化物條型激光器的脈沖功率特性 |
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F. Kappeler,徐振華 |
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臺階異質(zhì)結(jié)構(gòu)大光腔AlGaAs激光器:新型大功率單模CW器件 |
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D. Botez,徐振華 |
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大功率相控陣列激光器 |
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D. R. Scifres,徐振華 |
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高效率和大功率AlGaAs/GaAs激光器 |
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KAZUHISA TAKAHASHI,徐振華 |
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基于熱失控模型的DH激光器的CW面損傷功率 |
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Reinhart W. H. Engelmann,徐振華 |
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半導體激光器的縱模競爭分析 |
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Roy Lang,楊成珠 |
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Al_xGa_(1-x)As注入式激光器的縱模自穩(wěn)定 |
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R. F. Kazarinov,楊文忠 |
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激光二極管特性分析 |
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W. Streifer,楊成珠 |
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短波長和長波長V型槽激光器的光譜特性 |
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G. Arnold,楊成珠 |
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增益導引和折射率導引的(GaAl)As激光器的相干特性 |
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W. Isasser
,李東平 |
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用MOCVD制作極窄的改進型單量子阱激光器 |
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D. Kasemset,程阜民 |
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波長為680nm的室溫CW工作的AlGaAs DH激光器 |
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S. Yamamoto,楊成珠 |
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MOCVD生長低閾值AlGaAs可見光激光器 |
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D. Kasemset,楊成珠 |
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用OMVPE法生長的GaAlAs襯底臺面導引激光器 |
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D. E. Ackley,徐振華 |
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用MBE制作ZnSe電流限制區(qū)的隱埋頂層平面條型(BCP)GaAlAs激光器 |
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T、Niina,楊成珠 |
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低閾值微解理(GaAl)As激光器 |
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B·F·Levine,沈家樹 |
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俄歇復合對InGaAsP量子阱激光器的閾值電流的影響 |
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Akira Sugimura,夏代川 |
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觀測InGaAsP激光器的俄歇復合及載流子泄漏 |
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C.B.簀,屈積建 |
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InGaAsP/InP DH光源中的俄歇復合載流子受熱和載流子漏泄增強 |
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R. Lang,夏代川 |
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測量InP和Ga_(0.47)In_(0.53)As的內(nèi)價帶吸收 |
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C.H.亨利,屈積建 |
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多聲子復合(MPR)對GaInAsP-InP激光器閾值的影響 |
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王德林,屈積建 |
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半導體激光器實時分辨光譜的分析方法 |
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I. D. Henning,尹向澤 |
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條形激光器的靜態(tài)和動態(tài)特性模型 |
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J. Buus,尹向澤 |
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AlGaAs激光器調(diào)頻噪聲光譜和光譜線寬 |
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Y.山本,吳宏 |
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折射率波導半導體激光器低頻跳模噪聲 |
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N.千根,吳宏 |
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Q開關半導體激光器 |
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D·Z·Tsang,尹向澤 |
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高速脈沖激勵InGaAsP注入激光器中微微秒頻率線性調(diào)頻脈沖和動態(tài)譜線增寬 |
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Chinlon Lin,吳宏 |
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高T_0和高溫連續(xù)工作的InGaAsP雙溝道平面隱埋異質(zhì)結(jié)激光器 |
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Iku Mito,程阜民 |
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雙異質(zhì)結(jié)GaInAsP激光器的閾值電流與溫度之間的關系——第二截止溫度 |
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G. D. Henshall,程阜民 |
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低閾值電流、高特征溫度T_0的InGaAsP隱埋異質(zhì)結(jié)激光器的電學特性 |
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P. D. Wright,程阜民 |
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GaInAs(P)/InP和GaAl(As)/GaSb激光器的損耗:分離帶的影響 |
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A. Mozer
,程阜民 |
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分子束外延生長的連續(xù)工作InGaAs/InP隱埋異質(zhì)結(jié)激光器 |
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H. Asahi,程阜民 |
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適用于單片集成的InGaAsP/InP微解理槽型激光器 |
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U. Koren,程阜民 |
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帶激射窗口區(qū)的1.57μm InGaAsP/InP分布反饋隱埋異質(zhì)結(jié)激光器 |
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K. Utaka,程阜民 |
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以(311)InP為襯底采用雙管汽相外延工藝制作1.3μm連續(xù)工作激光器和1.0～1.7μm光電探測器 |
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G. H. Olsen,程阜民 |
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諧振腔長10μm、正面激射的注入激光器的單縱模振蕩 |
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H. Soda,程阜民 |
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P-n結(jié)與異質(zhì)結(jié)的隔離減少了DH激光器中閾值電流對溫度的依賴性 |
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P. J. Anthony,何興仁 |
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具有高溫穩(wěn)定性的雙載流子限制(DCC)異質(zhì)結(jié)InGaAsP(λ=1.3μm)激光器 |
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M. Yano,何興仁 |
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改進了的InGaAsP注入激光器雙異質(zhì)結(jié)材料光學測試技術 |
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J. Degani,何興仁 |
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AlGaAs和InGaAsP雙異質(zhì)結(jié)激光器中載流子感生引起的折射率變化 |
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J. Manning,R. Olshanksy,何興仁 |
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注入載流子對1.55μmGaInAsP激光器模式特性的影響 |
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J. C. Bouley,C. Gallou,何興仁 |
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1.3μm波長(In、Ga)(As、P)反向肋形波導激光器里的光波導 |
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S. E. H. Turley,蔣濤 |
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GaAlAs和InGaAsP/InP激光器中與注入電流密度有關的閾值以上時的光增益測量 |
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FRANCISCO C. PRINCE
,屈積建 |
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有源層厚度對極窄條形AlGaAs激光器光學特性的影響 |
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J. W. M. Biesterbos,蔣濤 |
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InGaAsP激光器自發(fā)輻射中高能尾處的光譜燒孔及熱載流子馳豫 |
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Masamichi Yamanishi
,屈積建 |
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GaInAsP/InP激光器中與帶間吸收、非輻射復合以及載流子泄漏有關的閾值電流的溫度依賴性 |
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M.淺田,屈積建 |
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用高壓研究(GaIn)(AsP)激光器的損耗機理 |
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D. Patel,蔣濤 |
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1.3μmInGaAsP/InP隱埋月牙形激光器的內(nèi)部損耗 |
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H. HIGUCHI,蔣濤 |
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高可靠性GaAlAs可見光MCSP激光器 |
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T.梶村,屈積建 |
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MOCVD工藝生長的可見光窄條激光器的可靠性和均勻性 |
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O.松田,屈積建 |
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隱埋異質(zhì)結(jié)構(gòu)1.3μm激光器的可靠性 |
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K.水石,屈積建 |
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慢退化GaAlAs DH LED_s的缺陷分析 |
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K. Kondo,屈積建 |
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P接觸的金徒動形成InP-InGaAsP LED_s中的暗點缺陷源 |
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A. K. Chim,屈積建 |
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銅沾污對高可靠GaAlAs激光器的影響 |
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M. J. Robertson,A. R. Goodwin,D. James,李慶文 |
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帶SiN_x鈍化膜的平面InGaAs-pin光電二極管的老化試驗——電化學腐蝕機理 |
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L. S. Lichtmann,李慶文 |
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用于pin-FET光纖接收器中的InGaAs光電二極管和GaAs FET的可靠性 |
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D. G. Jenkins,李慶文 |
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1—1.6μm波長用光電晶體管、APD—FET和PIN—FET光接收機 |
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M. C. Brain,D. R. Smith,程泰平 |
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大面積和可見光響應的VPE InGaAs光電二極管 |
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P. P. Webb,G. H. Olsen,程泰平 |
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長波長、環(huán)形In_(0.53)Ga_(0.47)As p-i-n光電探測器 |
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S. R. Forrest,P. A. Kohl,R. Panock,E. Yanowski,J. C. De Winter,R. E. Nahory,程泰平 |
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有關擴鎘InP光電二極管內(nèi)微等離子體效應的空間解析研究 |
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J. M. Vilela,W. Kuebart,O. Hildebrand,J. Kimmerle,程泰平 |
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“樓梯式”固體光電倍增器和雪崩光電二極管 |
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F. Capasso,G. F. Williams,W. T. Tsang,程泰平 |
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與發(fā)光管集成在一起的異質(zhì)結(jié)晶體管 |
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J. C. Campbell,李慶文 |
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InGaAsP/InP光電晶體管 |
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S. Sakai
,李慶文 |
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快速InP:Fe光導探測器 |
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R. B. Hammnd,李慶文 |
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Ag離子注入的立方形ZnS強蘭色發(fā)射波段和P型傳導 |
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T. Yokogawa,劉維芳 |
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蘭色發(fā)光二極管用的SiC襯底材料的單晶生長 |
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G. Ziegler,劉維芳 |
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LPE GaP:N和VPE GaAs_(1-x)Px:N發(fā)光二極管中的電致發(fā)光壽命 |
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F. G. Kellert.,劉維芳 |
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高亮度GaP綠色發(fā)光二極管 |
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T. Niina,付燦鑫 |
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InGaAsP發(fā)光二極管的電流-功率特征中俄歇復合占優(yōu)勢 |
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T. Uji,付燦鑫 |
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一種新的載流子壽命測量確定發(fā)光二極管中的復合速率和摻雜水平 |
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C. B. Su,付燦鑫 |
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具有輸出光波導結(jié)構(gòu)的光通信應用的高速GaAs-GaAlAs雙異質(zhì)結(jié)發(fā)光二極管 |
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Pang Yong-xiu,付燦鑫 |
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1.3μm的n型和P型InGaAsP材料的少數(shù)載流子壽命的測量 |
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C. H. Henry,付燦鑫 |
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LED的光強分布:對耦合效率和速度的影響 |
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J. A. Borsuk,李慶文 |
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InP/InGaAsP LED集成透鏡的光電化學工藝 |
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F. W. Ostermayer,李慶文 |
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具有高耦合效率和寬帶寬的1.3μm側(cè)面發(fā)光二極管 |
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P. DEVOLDERE,付燦鑫 |
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長距離140Mb/S光纖傳輸系統(tǒng)應用的透鏡耦合的高功率1.3μm側(cè)面發(fā)光二極管 |
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J. ure,付燦鑫 |
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超輻射發(fā)光二極管的綜合性研究及特性 |
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I. Middlemast,李曉萍 |
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高功率低發(fā)散超輻射二極管 |
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C. S. Wang,李曉萍 |
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橫向限制1.3μm超輻射InGaAsP發(fā)光二極管 |
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I. P. Kaminow,蔣濤 |
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又一批新成果通過定型鑒定 |
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張根深 |
問答
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