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半導(dǎo)體Q-開關(guān)激發(fā)器 |
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張慶有,高鼎三 |
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國(guó)外幾種新型半導(dǎo)體激光器的研制動(dòng)態(tài) |
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蔣濤 |
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微微秒光導(dǎo)開關(guān)及其應(yīng)用 |
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黃裕年 |
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內(nèi)含圖像存儲(chǔ)器的固體攝像器件的發(fā)展 |
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安藤隆男,徐振華 |
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與(100)GaAs晶格匹配的Ga_xIn_(1-x)A_(SY)P_(1-Y)/Ga_xIn_(1-x)A_(SY)P_(1-Y)雙異質(zhì)結(jié)(■H)可見光注入激光器 |
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H.Kawanishi
,T.Aota
,T.Iwokami
,M.Hiraoka.
,陳軍 |
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硅光敏三極管的二次擊穿及其對(duì)工作穩(wěn)定性的影響 |
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周壽通 |
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分布布喇格反射器晶格匹配的Pb_(1-x)S_(nx)T_e/P_bS_(ey)T_(el-y)激光二極管 |
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Eli KaPon
,何興仁 |
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用分子束外延在半絕緣GaAs襯底上單片集成AlGaAs/GaAs多重量子阱激光器和GaAs金屬—半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 |
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T.Sanada
,S.Yamakoshi
,何興仁 |
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在LPCVD型系統(tǒng)中采用SiHCl_3——NH_3體系制備Si_3N_4膜 |
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許世光 |
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Zn在AlGaAs和GaAs中的開管擴(kuò)散 |
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G.AIIen Vawter
,James L.Mery
,王朝京 |
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Cd在InP和InGaAsP中的低溫?cái)U(kuò)散 |
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李全臻 |
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用低壓MOCVD法外延生長(zhǎng)高純GaAs |
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Shigenori
,Takagishi
,沈家樹 |
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X-射線研究半導(dǎo)體材料切、磨、拋損傷階段報(bào)告(一) |
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郭志威,羅江才 |
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采用電化學(xué)C-V法測(cè)量Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體材料的載流子濃度的縱向分布 |
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徐日炳 |
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射頻濺射Zn_xCd_1—_xS薄膜的吸收帶 |
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Kuniniko Yamaguchi
,沈家樹 |
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CCD圖像傳感器的CPU控制驅(qū)動(dòng)——在傳真中的應(yīng)用 |
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屈積建 |
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電視聲像的光纖傳輸 |
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寇松堯 |
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CCD固體攝像陣列的動(dòng)向及其應(yīng)用 |
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孫志君 |
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電力系統(tǒng)中的光纖通信 |
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理工 |
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光纖光纜名詞術(shù)語(yǔ)及其定義 |
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限制AlGaAs半導(dǎo)體激光器頻率穩(wěn)定度的主要因素 |
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馮佩珍 |
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簡(jiǎn)訊 |
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